内嵌横向PNP晶体管的新型ESD双向防护器件

作者：刘静; 党跃栋; 刘慧婷; 赵岩

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 1-17.

• 静电防护
• 触发电压
• 维持电压

提出一种内嵌横向PNP晶体管的ESD双向防护器件（PNP＿DDSCR）。对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究，内嵌横向PNP晶体管的引入，提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率，促进正反馈系统建立，同时引入两条新的电流泄放通路，抑制电导调制效应，提高了电流泄放能力。结果表明，与传统的DDSCR器件相比，PNP＿DDSCR器件在TLP脉冲测试仿真中触发电压下降了31%，维持电压提高了16.8%，ESD设计窗口优化44.5%，具有更低的导通电阻。VF-TLP脉冲测试仿真结果表明，新结构器件对瞬态过冲电压有更好的钳位能力，同时保持了较快的开启速度，在VF-TLP应力0.1A时，PNP＿DDSCR器件的过冲电压仅为DDSCR器件的37%。

• 单位
  西安理工大学