IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展

作者:吴义伯; 戴小平; 王彦刚; 李道会; 刘国友
来源:大功率变流技术, 2015, (02): 6-11.
DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.002

摘要

随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。

  • 单位
    株洲南车时代电气股份有限公司

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