功率VDMOS的EMI分析

作者：周嵘; 陈文梅; 李泽宏; 包慧萍

来源：电子元件与材料, 2016, (09): 41-44.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.009

• 功率VDMOS
• 电磁干扰
• 振荡
• 栅电阻
• 输入电容
• 米勒电容 power VDMOS
• EMI
• oscillation
• gate resistance
• input capacitance
• Miller capacitance

针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰(EMI)问题,对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及VDMOS样管的动态特性测试,提出了功率VDMOS的EMI噪声优化方案。分析结果表明:适当增大VDMOS的寄生栅电阻R_g,增大VDMOS的输入电容C_(iss)和米勒电容C_(gd)可改善VDMOS器件EMI性能,但这会增加VDMOS器件的开关损耗。因此,在器件设计时需根据实际应用折中考虑。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室