一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管

作者：李国强; 徐珍珠; **光; 高芳亮; 温雷; 余粤锋

来源：2018-09-29, 中国, ZL201821604599.X.

本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管,包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本实用新型采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本实用新型的(In)GaN纳米管晶体质量好,禁带宽度可调,比表面积大,可实现可见光光谱响应,适用于光电解水产氢。

• 单位
  华南理工大学