氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量

作者：李煜; 李瑞伟; 王纪民; 付玉霞

来源：微电子学, 2005, (01): 11-14.

• 干法刻蚀
• 氮化硅刻蚀
• 半导体工艺
• 工艺设备模型

通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测 量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足 的实验数据。

• 单位
  清华大学