基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理,通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构,通过MATLAB仿真出栅电容随栅电压变化的特性曲线,与理想状态对比得到在反型状态量子效应会使栅电容增大的结论,量子电容成为影响栅电容大小的主导因素,同时分析了不同状态下决定栅电容的因素,仿真了不同拟合参数对特性曲线的影响,为改善晶体管栅电容线性度的研究提供理论依据,提出的栅电容模型对基于FinFET结构的电路设计研究具有了现实意义.
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