TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用

作者：张伟; 王玉东; 熊小义; 许军; 单一林; 李希有; 刘爱华; 钱佩信

来源：半导体技术, 2008, (01): 40-43.

• 锗硅异质结双极晶体管
• 二硅化钛
• 微波
• 低噪声

通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。

• 单位
  清华大学