本发明公开了一种P型硅基宽禁带材料及其制作方法,以解决现有P型硅半导体材料禁带宽度较小问题。其基本单元是基于Si晶胞的SixCyBz超晶胞,x+y+z＝1,其中碳原子和硼原子进行替位式掺杂。本发明在原有硅结构的基础上控制掺杂特定浓度的C原子,提高了材料的禁带宽度,同时对该硅基宽禁带材料进行P型掺杂,可以增加半导体的载流子浓度,形成的P型半导体所制作的功率器件有更优异的电学性能；且新材料的晶格结构与基体材料一致,可适用于硅的传统工艺及装置,具有更大的应用范围。
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