TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺

作者：张巍; 单光宝; 杜欣荣

来源：微纳电子技术, 2015, 52(04): 266-270.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2015.04.012

• Cu/Sn体系
• 低温键合
• 等温凝固扩散
• 硅通孔(TSV)
• 三维集成

为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性。将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力。

• 单位
  西安微电子技术研究所