高电容密度硅基MIS芯片电容

作者：汤寅^*; 张龙; 杨党利; 谭德喜; 姚伟明; 王霄; 周剑明

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(04): 297-300.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.20171228.002

• 硅基电容器
• 深孔刻蚀
• 高电容密度

制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55150℃内其温度系数小于1%。