垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究

作者：王立苗; 赵北君; 朱世富; 唐世红; 何知宇; 肖怀安

来源：人工晶体学报, 2009, 38(01): 44-47.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.01.011

• 铜
• 单晶生长
• 垂直布里奇曼法
• 蚀坑观察 copper
• single crystal growth
• vertical Bridgman method
• etch pits observation

Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整。

• 单位
  四川大学