一种低功耗K频段低噪声放大器

作者：赵晓冬^*

来源：电讯技术, 2021, 61(05): 634-639.

• 卫星通信
• K频段低噪声放大器
• 低功耗
• 高品质因数硅通孔电感

基于0.13μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor, BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm; 18～21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。