为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题，提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结，在开启过程中，较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出，呈现出低阻空穴路径，从而降低位移电流对栅极地充电，使得器件有较低的EMI噪声。仿真结果表明，在相同的开启功耗下，该结构相对于普通空穴路径的IGBT结构，能够明显降低器件的d IC/dt的最大值，抑制了器件的EMI噪声。
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