一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法

作者：宁洪龙; 邓培淼; 姚日晖; 谢伟广; 张旭; 张观广; 梁宏富; 梁志豪; 李志航; 彭俊彪

来源：2019-01-02, 中国, ZL201910002046.X.

本发明属于半导体材料领域,公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料,放置于管式炉中心加热区,将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体,放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空,然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积,在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单,所需的药品以及实验仪器都是普通常见的,不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染,形状规则。

• 单位
  华南理工大学