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摘要
本发明涉及一种基于单晶金刚石衬底的GaN/AlGaN异质结材料及其制备方法，所述方法包括：选取单晶金刚石衬底；在所述单晶金刚石衬底的上表面生成石墨烯层；在所述石墨烯层的上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层的上表面生长低温GaN过渡层；在所述低温GaN过渡层的上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层的上表面生长AlGaN势垒层。该GaN/AlGaN异质结材料及制备方法通过将石墨烯转移到任意晶面的单晶金刚石衬底上，能够在任意晶面的单晶金刚石衬底上生长GaN/AlGaN异质结材料，突破了在金刚石上外延GaN材料时对衬底晶面的限制，简化了工艺难度并提高了异质结材料的质量。
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