AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关

作者：章军云; 齐志央^*; 凌志健; 尹志军; 王溯源; 李信; 王学鹏; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(05): 357-362.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.05.007

• 铝镓砷
• 砷化镓
• 异质结
• PIN二极管
• 毫米波
• 单刀三掷开关

研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计，制作了一款0.05～50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明：该微波毫米波开关在0.05～18 GHz频带内插入损耗为0.5～0.75 dB，隔离度大于41 dB;18～50 GHz频带内插入损耗为0.75～1.2 dB，隔离度大于27 dB；具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。