摘要
硅氧化物(SiOx, 0<x≤2)具有高的比容量和低的嵌锂电位,且体积膨胀率显著低于纯硅负极,因而被认为是替代传统石墨负极材料的理想选择之一.然而SiOx负极在首次嵌锂过程中表面形成的固体电解质界面膜(SEI)以及大量的不可逆产物,造成其首次库伦效率偏低,严重阻碍了SiOx负极的实际应用.本文从SiOx的结构模型出发,系统阐述了SiOx负极的嵌锂机理以及首次库伦效率低的原因;归纳了SiOx负极首次库伦效率的提升策略及其研究进展;并对提升SiOx负极首次库伦效率的未来发展方向进行了展望.
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单位材料学院; 厦门大学; 化学化工学院