常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备

作者：孙化冬; 彭冬香; 张伟; 张立东; 刘望; 汪渊

来源：四川大学学报(自然科学版), 2011, (06): 1386-1390.

• AIN薄膜
• 射频反应磁控溅射
• 择优取向
• 沉积速率 AlN films
• RF reactive magnetron sputtering
• preferred orientation
• deposition rate

常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5%时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.

• 单位
  四川大学