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摘要
本发明公开一种孔内无氧干法刻蚀降低3D通孔超结构LED芯片电压的方法,包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层,InGaN/GaN多量子阱层,p型掺杂GaN层。在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜、反射镜保护层、N MESA开孔、绝缘层,再开出n-pad圆孔图形；利用无氧干法刻蚀n-pad圆孔内的SiO2,填充孔内N金属电极,制备键合层金属；剥离旧的生长衬底,制备MESA切割道、钝化层PA、P电极图案、P电极金属,形成LED芯片。本发明通过控制SiO2与光刻胶的刻蚀比,解决了3D通孔超结构LED芯片的电压过高问题。将整片LED wafer的驱动电压良率大幅提升,片内电压均值可降至3.0V以下。
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