一种深紫外LED封装器件及其制备方法

作者：万垂铭; 王洪; 谢子敬

来源：2021-10-25, 中国, CN202111243735.3.

本发明公开了一种深紫外LED封装器件及其制备方法。所述深紫外LED封装器件包括第一金属电极、第二金属电极、围墙、绝缘坝、深紫外LED、光学元件；其中,围墙设置在第一金属电极和第二金属电极外侧以及外侧部分区域上方,第一金属电极和第二金属电极中间设置绝缘坝将两者绝缘隔离；围墙连接绝缘坝；深紫外LED一端放置在第一金属电极内侧上方,另一端放置在第二金属电极内侧上方；光学元件设置在围墙上；光学元件、深紫外LED、围墙、第一金属电极和第二金属电极之间围成内部腔体。本发明的深紫外LED封装器件,不仅结构简单,气密性佳,产品的可靠性及使用寿命得以显著提高,而且封装结构简单,有利于降低制备成本。

• 单位
  华南理工大学