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摘要
本发明公开了一种复合ZnFe-2O-4/SiNWs材料及其制备方法和用途,所述制备方法采用金属辅助化学刻蚀的方法制备硅纳米线阵列基底,阵列结构可增强入射光的散射几率,能够提高硅基底对可见光的吸收效率。随后,利用水热法合成铁酸锌(ZnFe-2O-4)纳米颗粒,再通过旋涂以及煅烧的方法将ZnFe-2O-4纳米颗粒负载到硅纳米线基底上,形成新型的复合ZnFe-2O-4/SiNWs光电阳极材料。本发明中ZnFe-2O-4和硅纳米线阵列基底能形成异质结结构,加快光生载流子的分离和迁移速率,降低光生载流子的复合概率,从而可有效提高材料的光电性能。
- 单位
