AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响

作者：胡小强; 杨小天^*; 李慧; 李博; 胡伟涛; 雷明洲

来源：吉林建筑大学学报, 2021, 38(06): 80-83.

• AZTO
• 薄膜晶体管
• 有源层厚度
• 磁控溅射

随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的AZTO有源层.结果表明,随着有源层厚度增加,器件开关比减小,透光率下降,AZTO有源层厚度为52.5 nm时具有最高的开关比(1×106)和最高的光学透过率(97%).

• 单位
  吉林建筑大学