Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析

作者：王鑫炜; 刘宏伟^*; 高克; 张赞允; 李晓云; 宁平凡; 王笃祥; 牛萍娟

来源：发光学报, 2021, 42(01): 111-117.

• Nano-LED
• 量子阱应变
• 极化效应
• 有限元分析

通过有限元分析,利用COMSOL软件模拟计算了Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的应变和压电极化分布,并结合模拟得到的量子阱极化电场,采用Silvaco软件计算得到了Nano-LED InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的发光光谱。应变和压电极化分布结果表明,其在距离半极性面量子阱边缘100 nm的范围内变化明显。然而,在半极性面内部,应力释放现象消失,压电极化电场变强,量子限制Stark效应导致InGaN/GaN单量子阱发光强度降低。发光光谱分析表明,60 mA工作电流下,Nano-LEDInGaN/GaN半极性面量子阱边缘位置的光谱峰值最大蓝移达21 nm,其原因在于边缘的应力释放作用。Nano-LED非极性面和半极性面的整体光谱分析表明,在固定Nano-LED高度条件下,Nano-LED的直径越大,半极性面占比越高,器件整体发光光谱的双峰值现象越明显,这将为多波长Nano-LED器件的设计提供借鉴。

• 单位
  天津工业大学; 天津三安光电有限公司