TiO_2掺杂量对TZO陶瓷靶材性能的影响

作者：刘天成

来源：电子元件与材料, 2013, (10): 14-16+20.

• TZO
• TiO2掺杂量
• 微观形貌
• 相对密度
• 抗弯强度
• 电阻率 TZO
• TiO2 doping amount
• micro-morphology
• relative density
• bending strength
• resistivity

用常压烧结方法制备了掺钛氧化锌(TZO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量对TZO靶材的微观形貌、相对密度、抗弯强度和电阻率的影响。结果表明:添加适量TiO2利于TZO靶材的致密化,掺杂过量TiO2会使TZO陶瓷中析出Zn2TiO4;随TiO2掺杂量增大,靶材的相对密度和抗弯强度先增大后减小,电阻率则先减小后增大。当w(TiO2)为1.5%时,靶材相对密度获得最大值98.32%;当w(TiO2)为1.0%时,所制靶材抗弯强度最大(98.39 MPa),电阻率最小(2.586×10–3·cm),且其相对密度为98%。

• 单位
  湛江师范学院基础教育学院