Nd:LuVO_4晶体的生长及其性能研究

作者：赵守仁; 张怀金; 胡小波; 孔海宽; 刘均海; 徐现刚; 王继扬; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2004, (03): 363-366.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2004.03.020

• Nd:LuVO4
• 提拉法
• 分凝系数
• 介电常数
• 同步辐射形貌 Nd:LuVO_4 crystal
• Czochralski method
• segregation coefficient
• dielectric constant
• synchrotron topography

采用提拉 (Czochralski)法生长了Nd :LuVO4晶体。利用液相反应法 ,以V2 O5和NH4OH生成NH4VO3 ,Nd2 O3 、Lu2 O3 和HNO3 生成Nd(NO3 ) 3 和Lu(NO3 ) 3 反应制备多晶料 ;所生长Nd0 .0 1Lu0 .99VO4晶体为 16× 2 0× 2 1mm3 ,质量超过 4 0g。以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数。其中Nd3 + 约为 0 .91,V3 + 和Lu3 + 接近 1。还测定了其介电常数ε11=2 7.2 ,ε3 3 =33.9(30℃ ,1kHz) ,以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室