p型SiC欧姆接触理论及研究进展

作者：黄玲琴; 夏马力; 谷晓钢^*

来源：半导体技术, 2019, 44(06): 401-409.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.001

• p型SiC
• 欧姆接触
• 势垒理论
• 比接触电阻率
• 形成机理

碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一。然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题。首先对p型SiC欧姆接触的形成机制及金属/SiC接触势垒理论进行了深入分析。然后,对近年来p型SiC欧姆接触的重要研究进展进行了综述,包括形成欧姆接触的金属体系,制备工艺条件,获得的比接触电阻率等,并重点讨论了p型SiC欧姆接触的形成机理。最后,对未来p型SiC欧姆接触的研究方向进行了展望。

• 单位
  江苏师范大学; 自动化学院