目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛。但是其ESD保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰。如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题。从开发的难易度考虑,LDMOS是被广泛采用的器件。通过对利用LDMOS的寄生特性应用于ESD保护的机理进行分析,并指出其设计的难点和原因,针对性地提出优化方法,并以实例验证。
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