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摘要
采用磁控溅射法制备了SiC/ZnO/Si镶嵌结构复合薄膜,对样品采用了不同的温度进行退火处理,测定了样品的光致发光图谱。结果显示,复合薄膜的光致发光强度较单体薄膜有一定的增强,主要原因是发光复合中心的多元化和分布浓度的增加;随着退火温度的不同,各峰位的变化趋势有所不同。
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单位西北师范大学; 西北师范大学知行学院; 电子工程学院
采用磁控溅射法制备了SiC/ZnO/Si镶嵌结构复合薄膜,对样品采用了不同的温度进行退火处理,测定了样品的光致发光图谱。结果显示,复合薄膜的光致发光强度较单体薄膜有一定的增强,主要原因是发光复合中心的多元化和分布浓度的增加;随着退火温度的不同,各峰位的变化趋势有所不同。
