摘要

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了不同位置硼掺杂一维带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于硼的掺杂位置.当硼掺杂在针尖区域时,可以观测到明显的负微分电阻行为.