利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构

作者：郑晓思; 符斯列^*

来源：物理实验, 2020, 40(05): 1-5.

DOI：10.19655/j.cnki.1005-4642.2020.05.001

• C-V测量法
• GaN基蓝光LED
• 多量子阱

利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.

• 单位
  华南师范大学