摘要
脉冲半导体激光(LD)泵浦被动调Q微片激光器是产生小型化、大能量(mJ量级)、亚纳秒激光脉冲的主要技术途径。基于速率方程理论推导了脉冲LD泵浦被动调Q微片激光器首脉冲建立时间及多脉冲间隔时间方程,数值求解并分析了泵浦功率、泵浦脉宽等参数对亚纳秒激光输出脉冲数目的影响规律,在此基础上搭建了脉冲LD端面泵浦YAG/Nd:YAG/Cr4+:YAG微片激光器,实现了单脉冲能量1.2 mJ、脉冲宽度574 ps、峰值功率2.1 MW,光束质量因子M2=1.21的1 064 nm近衍射极限亚纳秒脉冲激光输出。
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单位晶体材料国家重点实验室; 山东大学