多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

作者：邓婉婷; 吴爱民; 张广英; 秦富文; 董闯; 姜辛

来源：原子能科学技术, 2007, 41(z1): 436-440.

DOI：10.3969/j.issn.1000-6931.2007.z1.027

• 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积
• 多晶硅薄膜
• 低温生长

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.

• 单位
  大连理工大学