具有非均匀交叉分布P柱区的新型高压SJ LDMOS结构(英文)

作者：朱辉; 李海鸥; 李琦

来源：固体电子学研究与进展, 2014, 34(05): 465-475.

• 超结
• 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
• 衬底辅助耗尽效应
• 击穿电压

提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(BV)。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技术导致的电荷掺杂轻微不平衡对器件的性能影响在文中研究的结构中相对更小。仿真结果表明文中提出的漂移区为15μm的器件耐压达到22V/μm,相比于常规超结(CSJ)LDMOS提高了100%,击穿电压达到330V。

• 单位
  电子科技大学; 桂林电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室