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摘要
硒化锑(Sb2Se3)是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料。太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性，然而在Sb2Se3中，这些特性尚未得到很好的理解。通过密度泛函理论和形变势理论，我们对纯Sb2Se3以及掺杂了As、Bi的Sb2Se3的空穴传输特性进行了研究。在这项研究中，我们计算并分析了影响迁移率的三个关键参数：有效质量、形变势和弹性常数。结果显示，有效质量对迁移率具有最大影响，掺杂Bi的Sb2Se3表现出最高的平均迁移率。同时发现，Sb2Se3的空穴迁移率呈现出明显的各向异性，其中x方向的迁移率远高于y、z方向，这应该与x方向的原子主要以较强的共价键连接，而y、z方向以较弱的范德华力连接有关。载流子传输能力强的方向有助于有效传输和收集光生载流子，我们的研究从理论上强调了控制硒化锑沿特定方向生长的重要性。
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