摘要

采用布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制成室温核辐射像素探测器。首先通过红外透过显微(IRTM)成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分布较均匀,电阻率为1010Ω.cm;电子迁移率寿命积为1.07×10-3cm2/V,晶片质量完全达到像素探测器的制作要求。采用光刻及双层胶剥离技术在CZT晶片表面制备出4×4像素Au电极,制备出金属-半导体-金属(MSM)结构像素阵列探测器,并研究了像素探测器的H2O2溶液湿法钝化和低能氧离子轰击干法钝化工艺,钝化后16个像素在100 V偏压下的漏电...

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