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摘要
本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法,包括以下步骤,(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合,通过连续离子层吸附的方法,即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体,制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上,按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体,继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％,成膜后的量子产率也大大提高,很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料,为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
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