将Sn粉与N型赝三元半导体粉体材料按一定比例混合,在200℃和550 MPa压强条件下热压制备N型赝三元半导体掺Sn复合材料.分析材料的微观结构和热电性能结果表明,掺入Sn后XRD衍射峰没有发生偏移,Seebeck系数降低而电导率和热导率升高,这主要是掺Sn引起载流子浓度的显著升高导致的.