氧化损伤诱导的人晶状体上皮细胞系基因表达谱的差异和表型改变

作者：梅林; 王嵩; 闫博; 杨安钢; 赵晶; 严宏

来源：国际眼科杂志, 2016, 16(05): 822-825.

• 人晶状体上皮细胞
• 氧化损伤
• 表达谱芯片
• 细胞凋亡

目的:探讨人晶状体上皮细胞(human lens epithelial cells,HLEC)氧化刺激后基因表达谱的差异以及相应的表型改变。方法:培养人晶状体上皮细胞系HLE-B3并给予H2O2刺激。24h后,提取细胞总RNA进行基因表达谱芯片检测,并采用生物信息学数据库DAVID对氧化刺激组相比对照组显著上调的基因进行Gene Ontology(GO)功能富集分析。RT-q PCR对上调的基因进行验证。通过MTT和流式细胞仪检测细胞凋亡水平。结果:表达谱芯片结果显示,氧化刺激造成HLEC中367个基因上调,GO分析表明这些基因富集于310个功能类别中,主要包括p53信号通路、细胞凋亡通路、细胞程序性死亡通路等。RT-q PCR结果证实,6个主要参与促凋亡或抗凋亡调节的基因,包括BCL2A1、TP53I3、FAS、ZMAT3、DDB2和BCL2L1,在氧化刺激后表达水平明显上升。MTT实验和流式细胞仪检测结果显示,H2O2刺激后HLEC凋亡逐渐上升,是细胞氧化损伤的主要表现。结论:氧化刺激可同时诱导HLEC中促凋亡基因和抗凋亡基因表达水平上调,但最终仍然导致了细胞凋亡。

• 单位
  唐都医院; 第四军医大学