Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能

作者：闫伟超; 孙汝杰; 陈凌翔; 吕建国; 叶志镇

来源：材料科学与工程学报, 2015, 33(06): 814-817.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2015.06.008

• 磁控溅射
• 非晶态
• 薄膜
• 退火

采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O(NZTO)薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室