本发明公开了一种AlN纳米结构及其制备方法。该AlN纳米结构包括衬底、AlN薄膜、AlN纳米片。其中,AlN纳米片由大量AlN纳米棒水平堆叠而成,且其形貌演变具有周期性。相对于其他的一维AlN纳米结构,本发明制备AlN纳米片为单晶材料,晶体质量高；纳米片由大量密度均匀、形貌统一的纳米棒堆叠而成,比表面积显著增加,提取加工也相对容易。
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