AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积技术生长的GaN薄膜性能的影响

作者：刘作莲; 王文樑; 杨为家; 李国强

来源：半导体光电, 2014, 35(01): 46-84.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2014.01.012

• GaN薄膜
• AlN缓冲层
• 脉冲激光沉积
• 高分辨X射线衍射仪
• 扫描电子显微镜

在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对外延生长所得GaN薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。测试结果表明:相比直接在Al2O3衬底上生长的GaN薄膜,通过生长AlN缓冲层的GaN薄膜虽然晶体质量较差,但表面较平整;而且随着AlN缓冲层厚度的增加,GaN薄膜的晶体质量和表面平整度均逐渐提高。可见,AlN缓冲层厚度对在Al2O3衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。

• 单位
  华南理工大学