基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器的设计

作者：包宽; 周骏; 沈亚

来源：固体电子学研究与进展, 2017, 37(04): 239-244.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.04.004

• 低噪声放大器
• Ka波段
• SiGe双极型互补金属氧化物半导体工艺
• 毫米波
• 阻抗匹配 low noise amplifier
• Ka band
• SiGe BiCMOS
• millimeter wave
• impedance matching

介绍了一款基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器(LNA)的设计与测试。分析了毫米波频段硅基集成电路的匹配设计方法,给出了HBT晶体管电流密度与噪声系数的关系,以及最佳噪声偏置点的选取方法。并基于以上方法设计了单级共基共射低噪声放大器,LNA芯片基于Global Foundry 8HP工艺流片验证。测试结果表明,该LNA实现了30~40GHz的-1dB带宽、小于3.5dB的噪声系数以及6.2dBm的1dB压缩输出功率(P-1dB);输入输出反射系数均小于-15dB,中心频率(35GHz)处增益为7.2dB(单级),LNA的直流电流为6.7mA,电源电压为1.8V。