含氢添加剂对合成cBN的影响及腔体温度分布

作者：卜雨洲; 郭伟力; 马红安; 陈立学; 贾晓鹏

来源：高压物理学报, 2005, (01): 1-4.

• 高温高压
• 立方氮化硼
• V型区 high-temperature and high-pressure
• cBN
• V-area

通过对Li基触媒下立方氮化硼的高温高压合成实验结果的分析,研究了在 Li基触媒作为主要触媒及氢化物作为添加剂的环境下,立方氮化硼的生长情况。同时由合成后样品中立方氮化硼的生成区域对V型生长区温度梯度分布进行了分析讨论。

• 单位
  河南理工大学; 吉林大学; 超硬材料国家重点实验室