MOCVD侧向外延GaN的结构特性

作者：方慧智; 陆敏; 陈志忠; 陆羽; 胡晓东; 杨志坚; 张国义

来源：发光学报, 2005, (06): 748-752+841.

• 侧向外延
• 金属有机化学气相沉积
• 氮化镓
• 原子力显微镜
• 拉曼散射

侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室