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摘要
本发明提供了一种具有对称阶梯氧埋层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管；包括：4H-SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、第一对称阶梯氧埋层(3)和第二对称阶梯氧埋层(4)、N型沟道层(5)；本发明由于对称阶梯状的氧埋层的存在,有效地避免了N型沟道层中电子向衬底泄露,提高了最大输出电流密度；阶梯状的氧化层,会使电场峰从栅极靠近漏极处分散到右侧阶梯氧化层的端点上,从而减弱了电场的聚集,使击穿电压得到提高。两个对称阶梯状的氧埋层和的介电常数低于4H-SiC,有效地提高了截止频率和最大输出功率。通过仿真实验,优化了两个阶梯氧化层的结构参数,得到了使功率附加效率达到最高的阶梯氧化层参数。
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