InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

作者：陈志忠; 徐科; 秦志新; 于彤军; 童玉珍; 宋金德; 林亮; 刘鹏; 齐胜利; 张国义

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (07): 1121-1124.

• 氮化镓
• 发光二极管
• 多量子阱
• 透射电子显微镜
• 电致发光谱
• 阴极荧光谱 gallium nitride
• light emitting diode
• multiple quantum wells
• transmission electron microscopy
• electroluminescence
• cathodoluminescence

研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.

• 单位
  物理学院; 人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学