S空位与Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质模拟

作者：付斯年; 朱瑞华

来源：硅酸盐通报, 2023, 42(11): 4178-4182.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.20230927.001

• Tc掺杂单层MoS2
• 第一性原理
• 电荷密度
• 电子结构
• 磁学性质

利用第一性原理，研究了S空位(VS)和Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质。结果表明，Tc掺杂的单层MoS2是一种具有铁磁性的n型半导体；与Tc掺杂体系相比，VS的引入不会导致(Tc,VS)掺杂系统的总磁矩发生显著变化，且磁矩主要由Tc原子所贡献；在2Tc掺杂体系中，通过形成能分析确定出最稳定构型；2Tc掺杂体系的磁矩为2.048μB,主要由两个Tc原子贡献。通过自旋电荷密度分析表明，(Tc-4d)-(S-3p)-(Mo-4d)-(S-3p)-(Tc-4d)耦合链的形成可能是2Tc掺杂体系发生铁磁耦合的原因。

• 单位
  牡丹江师范学院; 电子工程学院