气相二氧化硅物理吸附水测定及与表面硅羟基含量之间关系

作者：修昊; 段先健; 张婷婷; 赵友博; 郭真有; 吴春蕾; 王跃林^*; 傅强^*

来源：高分子材料科学与工程, 2021, 37(01): 102-149.

DOI：10.16865/j.cnki.1000-7555.2021.0003

• 气相二氧化硅
• 硅羟基
• 热重分析
• 物理吸附水

热重分析法测定气相二氧化硅表面硅羟基含量操作简便、无化学试剂、误差小,近年来越来越受到关注。但是,其中物理吸附水脱除的条件还存在争议。文中选用国内外2家代表性公司生产的相同比表面积的气相二氧化硅为对象,详细地研究了升温模式、升温速率、等温温度和等温时间对其表面物理吸附水脱除的影响。确定了物理吸附水脱除的最优测试条件:10℃/min升温至200℃等温5 min。对比发现,相同条件下,国外产品的脱水量高于国内产品,这可能是由于国外产品具有更高的硅羟基含量所致。本工作不但找到了国内外产品关键性能的差距,而且完善了热重分析法测定气相二氧化硅表面羟基含量,并为相关测试标准的发展提供技术支撑。

• 单位
  四川大学; 高分子材料工程国家重点实验室; 广州汇富研究院有限公司