反应时间和温度对二氧化钒薄膜生长影响研究

作者：肖翔; 冯林; 邹继军; 郭喜涛

来源：电子质量, 2020, (02): 48-52.

• VS生长法
• 生长时间
• 生长温度
• VO_2单晶尺寸
• VO_2薄膜厚度

该文采用一种新型的气-固(VS)生长法合成了高质量、大面积的二氧化钒(Vanadium Oxide,VO2)薄膜。在该合成反应过程中,VO2薄膜生长的质量受诸多因素的影响。比如,生长温度、时间和气压,惰性载入气体流速,前躯体的数量,以及衬底的种类和位置等。文中系统地研究了生长时间和温度对VO2薄膜生长质量的影响,并对其进行了优化调控。利用扫描电子显微镜对该VO2薄膜进行的形貌分析表明,该VO2薄膜是由尺寸不一的晶粒连接而成的多晶界薄膜,表面具有较高的平整度。单晶尺寸最大可达120μm,平均尺寸40μm。

• 单位
  东华理工大学; 电子工程学院