基于连续介质力学和键弛豫理论等方法,从原子键长和键强的变化以及应变的角度出发研究了包括三边形、四边形、六边形和圆形等不同形貌Si纳米线的能隙。研究结果表明,表面原子,特别是顶角和棱边上的原子,对多边形纳米线能带结构会产生重大影响。此外,研究发现纳米线的能隙随尺寸的减少而增大,并且Ge外延层厚度的改变也可实现对能带的调控。结果与实验测量吻合较好,这也说明该理论方法的可行,可为今后分析多边形核壳纳米结构的能隙以及为Si基材料的应用提供借鉴。
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